
在现代电子系统中,面对日益复杂的电磁干扰(EMI)和瞬态过压风险,合理选择浪涌保护器件至关重要。以下从多个维度提供专业选型建议。
击穿电压(VBR):TVS二极管的VBR需略高于电路正常工作电压,避免误触发;裸片同样遵循此原则,但需结合封装寄生电容优化。
钳位电压(VC):VC越低,保护效果越好。通常TVS二极管在相同功率下比裸片具有更优的钳位特性。
峰值脉冲电流(IPP):TVS裸片在高电流冲击下可通过热扩散设计提升耐受力,但需注意散热路径设计。
TVS二极管因有引脚,布线时需考虑走线长度与回路电感,建议靠近保护点安装,缩短电流路径。
TVS裸片则可实现近场保护,减少寄生电感,特别适用于高频信号线(如射频、高速差分信号),但需确保焊点可靠性和封装气密性。
TVS二极管通常自带散热设计,可在较宽温度范围内稳定工作。
TVS裸片热量集中,必须配合有效的导热路径(如金属底座、散热孔)和合理的布局策略,否则易发生热失效。
对于中小型企业或原型开发,推荐使用标准封装的TVS二极管,便于测试、更换与维修。
对于大规模量产且追求小型化的产品,可考虑采用裸片集成方案,实现更高集成度与更低功耗。
最终决策应基于:
因此,理解并掌握TVS二极管与裸片的本质区别,是实现高效、可靠电路保护的基础。
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